法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-04-11
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G02B 6/10 授权公告日:20060621 终止日期:20110129 申请日:20030129
专利权的终止
2006-06-21
授权
授权
2005-08-10
实质审查的生效
实质审查的生效
2005-06-08
公开
公开
机译: 用于光学应用的薄膜,使用相同的发光结构及其制造方法
机译: 制造薄膜结构的方法,使用该薄膜结构的存储节点的方法,使用该薄膜结构的相变随机存取存储器的制造方法,使用该薄膜结构的相变随机存取存储器的存储节点
机译: 用于光学应用的薄膜的发光结构及其制造方法