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偏转轭和采用该偏转轭的阴极射线管

摘要

在半环型偏转轭中,磁芯(34)沿着管轴从大直径部分(34L)到小直径部分(34S)的整个长度的中间点CL(M)位于水平偏转线圈(30a,30b)的小直径部分(30S)一边,它相对于沿着管轴离开水平偏转线圈(30a,30b)的大直径部分(30L)一边0.41×HL的距离点,其中,HL是水平偏转线圈(30a,30b)沿着管轴的整个长度。偏转轭有效地偏转电子束,且减小了偏转轭所需的偏转电源功率。具有该偏转轭的阴极射线管能够抑制在屏幕垂直方向上所产生的枕形失真类失真,因此能够显示较高质量的图像。

著录项

  • 公开/公告号CN1252788C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2006-04-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 株式会社东芝;

    申请/专利号CN02803358.2

  • 申请日2002-10-29

  • 分类号

  • 代理机构上海专利商标事务所有限公司;

  • 代理人李家麟

  • 地址 日本东京

  • 入库时间 2022-08-23 08:58:18

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2008-12-31

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

  • 2006-04-19

    授权

    授权

  • 2004-05-19

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2004-03-10

    公开

    公开

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