退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN104393065B
专利类型发明专利
公开/公告日2017-06-06
原文格式PDF
申请/专利权人 天津三安光电有限公司;
申请/专利号CN201410703306.3
发明设计人 熊伟平;林桂江;刘冠洲;李明阳;杨美佳;吴超瑜;王笃祥;
申请日2014-11-26
分类号
代理机构
代理人
地址 300384 天津市西青区华苑产业区海泰南道20号
入库时间 2022-08-23 09:56:35
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-06-06
授权
2015-04-01
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0224 申请日:20141126
实质审查的生效
2015-03-04
公开
机译: 铜铟镓硒薄膜太阳能电池芯片的缓冲层及其制备方法,以及铜铟镓硒薄膜太阳能电池芯片
机译: 颜料敏化芯片太阳能电池和颜料敏化芯片太阳能电池模块
机译:在CMOS芯片上集成太阳能电池-第二部分:CIGS太阳能电池
机译:太阳能电池在CMOS芯片顶部的集成第一部分:非晶硅太阳能电池
机译:用于高性能平面Perovskite太阳能电池螺螺(芴-9,9'- Xanthene)芯片运输材料的氟取代位置效应
机译:4.6 144KB退火系统由9×16KB退火处理器芯片组成,具有可扩展的芯片与芯片连接,用于大规模组合优化问题
机译:溅射法制备CZTS太阳能电池循环弯曲过程中测量ITO薄膜电阻变化的实验技术使用板级跌落试验研究晶圆级芯片规模封装的可靠性。
机译:微观小芯片在液-液-固界面处的自组装形成柔性分段单晶太阳能电池
机译:CMOS芯片顶部的太阳能电池集成 - 第二部分:CIGS太阳能电池
机译:采用mEms反射镜的芯片到芯片光互连