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具有无结垂直栅晶体管的半导体器件及其制造方法

摘要

一种无结垂直栅晶体管,包括:有源柱体,所述有源柱体从衬底垂直地突出,并包括第一杂质区、在所述第一杂质区之上顺序地形成的第二杂质区和第三杂质区;栅电极,所述栅电极耦合到所述第二杂质区的侧壁;以及位线,所述位线沿着与所述栅电极相交的方向排列,且每个与所述第一杂质区接触。所述第一杂质区、所述第二杂质区、所述第三杂质区包括相同极性的杂质。

著录项

  • 公开/公告号CN103311249B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-05-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201310070019.9

  • 发明设计人 文正敏;金泰均;李锡熙;

    申请日2013-03-05

  • 分类号H01L27/108(20060101);H01L21/8242(20060101);H01L21/334(20060101);

  • 代理机构11363 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人俞波;许伟群

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2022-08-23 09:56:30

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-05-31

    授权

    授权

  • 2015-01-07

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/108 申请日:20130305

    实质审查的生效

  • 2013-09-18

    公开

    公开

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