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公开/公告号CN103907186B
专利类型发明专利
公开/公告日2017-05-31
原文格式PDF
申请/专利权人 高通股份有限公司;
申请/专利号CN201280054120.9
发明设计人 M·波波维奇;Y-c·C·潘;B·安德弗;J·张;R·贾里泽纳里;
申请日2012-11-01
分类号H01L27/02(20060101);H02H9/04(20060101);H03K19/003(20060101);
代理机构31100 上海专利商标事务所有限公司;
代理人亓云
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 09:56:22
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-05-31
授权
2014-07-30
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/02 申请日:20121101
实质审查的生效
2014-07-02
公开
机译: 具有嵌入式静电放电(ESD)保护和自适应主体偏置的块式电源开关
机译: 嵌入式静电放电(ESD)块电源开关,采用保护性和自适应本体偏置
机译: 具有嵌入式静电放电(ESD)保护和自适应偏置的整体电源开关
机译:绝缘体上硅(SOI)CMOS技术中的静电放电(ESD)保护,具有高级微处理器半导体芯片中的铝和铜互连
机译:具有P型MOSFET导通结构的N型可控硅整流器的静电放电(ESD)保护,适用于高压操作I / O应用
机译:保护具有高集成度的CMOS系统免受ESD静电放电的方法
机译:新型基于硅的可控整流器(SCR)的器件的设计,表征和紧凑模型,用于集成电路中的静电放电(ESD)保护应用。
机译:具有嵌入式PMOSFET的鲁棒和锁定的免疫LVTSCR器件用于28 nm CMOS过程中的ESD保护
机译:具有动态电压调节和自适应体偏置功能的嵌入式处理器的功耗感知编译
机译:激光二极管点火致动器的静电放电(EsD)保护