公开/公告号CN104205298B
专利类型发明专利
公开/公告日2017-05-24
原文格式PDF
申请/专利权人 应用材料公司;
申请/专利号CN201380016402.4
申请日2013-03-01
分类号
代理机构北京律诚同业知识产权代理有限公司;
代理人徐金国
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 09:56:15
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-03-10
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L21/205 授权公告日:20170524 终止日期:20190301 申请日:20130301
专利权的终止
2017-05-24
授权
授权
2017-05-24
授权
授权
2015-04-22
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/205 申请日:20130301
实质审查的生效
2015-04-22
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/205 申请日:20130301
实质审查的生效
2014-12-10
公开
公开
2014-12-10
公开
公开
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机译: 用于太阳能电池的硅晶片的制造方法,包括在基板上形成硅层,其中将硅粉或包含形成为硅膏的硅粉的悬浮液像在基板上一样施加到层上。
机译: 基于氮化镓的III-V族氮化物半导体层的制造包括在基板上施加掩模层以形成掩模区域和非掩模区域,以及在非掩模区域上方生长氮化物半导体层。
机译: 低温低压热CVD工艺,用于在整体结构上形成均匀厚度的共形III族和/或V族掺杂硅酸盐玻璃涂层