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公开/公告号CN105110672B
专利类型发明专利
公开/公告日2017-05-17
原文格式PDF
申请/专利权人 武汉理工大学;
申请/专利号CN201510462763.2
发明设计人 马保国;张昺榴;陈方颉;谭洪波;
申请日2015-07-31
分类号C04B18/08(20060101);C04B20/02(20060101);
代理机构42102 湖北武汉永嘉专利代理有限公司;
代理人崔友明
地址 430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号
入库时间 2022-08-23 09:56:13
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-05-17
授权
2015-12-30
实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 18/08 申请日:20150731
实质审查的生效
2015-12-02
公开
机译: 化学气相沉积法,该化学气相沉积法是将化学气相沉积用作原料,并将化学气相沉积用于由有机钌化合物制成的原料
机译: 物理气相沉积法的沉积方法和物理气相沉积法的沉积目标
机译:化学气相沉积法合成高质量的大面积均质1T'MoTe2
机译:化学气相沉积法生长非均质石墨烯的异常热能
机译:金属有机化学气相沉积法生长的In_(0.17)Al_(0.83)N外延层中的铟成分均质性
机译:使用钽丝热丝化学气相沉积法进行硅均质
机译:使用蒙特卡洛方法通过化学气相沉积法对金刚石膜生长的计算机模拟。
机译:QuEChERS方法和气相色谱-质谱法分析水和沉积物中农药残留的评估
机译:气相色谱法研究化学改性多孔炭的表面非均质性