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公开/公告号CN1256620C
专利类型发明授权
公开/公告日2006-05-17
原文格式PDF
申请/专利权人 希毕克斯影像有限公司;
申请/专利号CN03122267.6
发明设计人 珍·E·赫博曲;赵一雄;吴让二;阿巴斯·哈希尼;保罗·根德勒;梁荣昌;
申请日2003-04-24
分类号G02F1/167(20060101);H05K3/02(20060101);
代理机构11240 北京康信知识产权代理有限责任公司;
代理人余刚
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 08:58:18
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2006-05-17
授权
2004-01-14
实质审查的生效
2003-11-05
公开
机译: 在基板上形成图案化的薄膜导电结构的方法
机译: 在导电ITO膜上或在玻璃基板表面上作为ITO膜的金属基板形成金属薄膜层的方法,以及在导电ITO膜上或在玻璃基板表面上作为ITO膜的基板在金属基板上形成金属膜层的方法
机译:通过在金字塔图案化玻璃基板上涂覆ZnO薄膜形成的光学粗糙和物理平坦的TCO基板
机译:Nd:YVO 4 sub>在玻璃基板上波长为1,064 nm的各种透明导电氧化物薄膜的激光图案化
机译:柔性基板上纳米图案化导电聚合物薄膜的图案可定义和低成本制造
机译:电纺空间限定纤维图案化结构在导电和绝缘基板上的制造和形成机理
机译:扩散界面模型,用于在图案化基材上形成应力二元薄膜的微观结构。
机译:用于使用180GHz准光谐振器的电导率提取用于沉积在导电基板上的导电薄膜
机译:使用干转移技术在刚性和柔性基板上形成渗流性银纳米线网络的均匀,高导电性和图案化的透明薄膜
机译:一种计算机程序,用于通过四点探针测量来计算沉积在导电基板上的薄膜的电阻率