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一种避免电镀沉积铜装置沉积的薄膜生成空穴的方法

摘要

本发明提供一种避免电镀沉积铜(Electro-Chemical Deposition Copper,ECD-Cu)装置沉积的薄膜生成空穴(cavity)的方法。该电镀装置包含有一电解槽,一阳极,设于该电解槽内,以及一旋转平台,用以放置一作为电镀沉积阴极的晶圆。本发明方法是于进行该电镀铜沉积制程时,控制该旋转平台以1秒至10秒的周期交替正、逆时针方向旋转,以避免于该电解槽内的电镀溶液形成稳定的漩涡,进而抑制漩涡中的气泡附着在晶圆表面而于电镀铜薄膜中形成许多空穴的现象。

著录项

  • 公开/公告号CN1259460C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2006-06-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 联华电子股份有限公司;

    申请/专利号CN200410006409.0

  • 发明设计人 陈学忠;蔡腾群;杨名声;

    申请日2004-02-27

  • 分类号

  • 代理机构北京三友知识产权代理有限公司;

  • 代理人马娅佳

  • 地址 台湾省新竹市

  • 入库时间 2022-08-23 08:58:19

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2006-06-14

    授权

    授权

  • 2004-12-01

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2004-09-22

    公开

    公开

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