共平面型氧化物半导体TFT基板的制作方法

摘要

本发明提供一种共平面型氧化物半导体TFT基板的制作方法，包括：步骤1、提供基板(1)；步骤2、形成栅极(2)；步骤3、沉积栅极绝缘层(3)；步骤4、在栅极绝缘层(3)上形成光阻层(4)；步骤5、对光阻层(4)进行分区域曝光、显影，形成通孔(41)、数个凹陷部(42)；步骤6、去除所述通孔(41)下方的栅极绝缘层(3)；步骤7、去除光阻层(4)的数个凹陷部(42)下方的光阻层(4)；步骤8、在栅极绝缘层(3)与剩余的光阻层(4’)上沉积第二金属层(5)；步骤9、去除剩余的光阻层(4’)及沉积于其上的第二金属层(5)，形成源/漏极(51)；步骤10、沉积并图案化氧化物半导体层(6)；步骤11、沉积并图案化保护层(7)。