常态导通高压开关

摘要

在一些实施例中，常态导通高压开关器件（“常态导通开关器件”）引入了沟槽栅极端和掩埋掺杂栅极区。在其他实施例中，所形成的表面栅极控制的常态导通高压开关器件带有沟槽结构，并且引入了表面栅极电极控制的表面通道。表面栅极控制的常态导通开关器件还引入了沟槽栅极电极和掩埋掺杂栅极区，以耗尽导电通道，帮助断开常态导通开关器件。因此利用现有的高压MOSFET制备工艺，可以轻松地制备常态导通开关器件，并与MOSFET器件集成。