首页> 中国专利> 一种可按照离子注入区域分类的电子束缺陷检测方法

一种可按照离子注入区域分类的电子束缺陷检测方法

摘要

本发明提供了一种可按照离子注入区域分类的电子束缺陷检测方法,包括:第一步骤,将芯片的不同离子注入的电路图导入到电子束缺陷检测设备;第二步骤,根据不同离子注入电路图区分不同的器件区域;第三步骤,针对由第二步骤定义的器件区域设定电子束缺陷检测设备的不同的电子束缺陷检测条件;第四步骤,电子束缺陷检测设备利用不同的电子束缺陷检测条件,根据相应的不同的检测区域完成整个晶圆的缺陷检测。

著录项

  • 公开/公告号CN103489808B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-05-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华力微电子有限公司;

    申请/专利号CN201310432063.X

  • 发明设计人 倪棋梁;陈宏璘;龙吟;

    申请日2013-09-22

  • 分类号

  • 代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人陆花

  • 地址 201203 上海市浦东新区高科技园区高斯路568号

  • 入库时间 2022-08-23 09:55:25

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-05-10

    授权

    授权

  • 2014-02-05

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/66 申请日:20130922

    实质审查的生效

  • 2014-01-01

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号