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高穿透率PSVA型液晶显示面板及其制作方法

摘要

本发明提供一种高穿透率PSVA型液晶显示面板及其制作方法。该液晶显示面板在上基板(1)上设置第一公共电极(31)、绝缘层(32)、与第二公共电极(33),在下基板(2)上设置像素电极(4),在第二公共电极(33)与像素电极(4)表面设置多个聚合物突起(5)对液晶分子(7)配向,且所述第一、第二公共电极(31、33)的其中之一为图案化公共电极,另一个为平面型公共电极,像素电极(4)为平面型电极。在制程过程中,通过对像素电极(4)与图案化公共电极施加电压,能够使液晶分子(7)向不同方向倒伏,在每一个子像素内形成多畴;在使用过程中,通过对像素电极(4)与平面型公共电极施加电压,能够使整个像素区域同时达到最大的穿透率。

著录项

  • 公开/公告号CN104777693B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-05-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 深圳市华星光电技术有限公司;

    申请/专利号CN201510208473.5

  • 发明设计人 钟新辉;

    申请日2015-04-28

  • 分类号G02F1/139(20060101);G02F1/1343(20060101);G02F1/1362(20060101);G02F1/1368(20060101);G02F1/1333(20060101);

  • 代理机构44265 深圳市德力知识产权代理事务所;

  • 代理人林才桂

  • 地址 518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9—2号

  • 入库时间 2022-08-23 09:55:12

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-12-31

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):G02F 1/139 变更前: 变更后: 申请日:20150428

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2017-05-03

    授权

    授权

  • 2017-05-03

    授权

    授权

  • 2015-08-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):G02F1/139 申请日:20150428

    实质审查的生效

  • 2015-08-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):G02F 1/139 申请日:20150428

    实质审查的生效

  • 2015-07-15

    公开

    公开

  • 2015-07-15

    公开

    公开

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