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硅片转移装置、转移托环、半导体工艺反应设备

摘要

一种硅片转移装置、转移托环、半导体工艺反应设备,其中硅片转移装置包括:圆形基座,所述圆形基座包括第一基盘和第二基盘,所述第一基盘比第二基盘小,且以圆心重合的方式重叠于第二基盘上,所述第一基盘的边缘处设置有向外开口的卡槽;转移托环,所述转移托环包括环状结构,及自环状结构向内延伸、并与所述卡槽相对应的至少两个支撑柱;转移臂,所述转移臂与所述转移托环连接;其中,所述转移托环的材质为耐高温石英、超强C‑C复合材料中的一种,或者为陶瓷,陶瓷表面覆盖有钛、镍合金中的任一种材料。所述半导体工艺反应设备具有所述转移托环。本发明提供的转移托环耐腐蚀、耐高温,能够在Al刻蚀后进行的去胶工艺过程中长期使用不变形。

著录项

  • 公开/公告号CN102569142B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-04-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华虹宏力半导体制造有限公司;

    申请/专利号CN201210024579.6

  • 发明设计人 蔡辉;包中诚;吴明龙;

    申请日2012-02-03

  • 分类号

  • 代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人骆苏华

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

  • 入库时间 2022-08-23 09:55:10

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-04-26

    授权

    授权

  • 2014-07-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/677 申请日:20120203

    实质审查的生效

  • 2014-04-30

    专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 21/677 变更前: 变更后: 登记生效日:20140408 申请日:20120203

    专利申请权、专利权的转移

  • 2012-07-11

    公开

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