公开/公告号CN1236481C
专利类型发明授权
公开/公告日2006-01-11
原文格式PDF
申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;
申请/专利号CN03142989.0
申请日2003-06-11
分类号
代理机构北京三友知识产权代理有限公司;
代理人李强
地址 台湾省新竹科学工业园区
入库时间 2022-08-23 08:58:13
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2006-01-11
授权
授权
2004-09-22
实质审查的生效
实质审查的生效
2004-07-14
公开
公开
机译: 半导体装置的硅化物侧面阻障层/浅沟槽隔离阻障层的制造方法
机译: 半导体装置的硅化物侧面阻障层/浅沟槽隔离阻障层的制造方法
机译: 多晶硅栅层内形成的掺杂扩散阻障区