一种气体分布垂直式PECVD炉及其制造方法

摘要

一种气体分布垂直式PECVD炉，包括：一反应器，包括一气体分布箱，一气体筛板，设置于该气体分布箱表面，该气孔间具有一气孔间距，一正极板，及一负极板；一腔室，包括：一进气法兰，一出气法兰，一RF连接法兰及一加热管，工艺气体装在该进气法兰上，该加热管通过压块均匀分布在腔体外侧，RF电源通过该RF连接法兰与反应器连接；一气路系统，包括一汇流箱，设置于炉腔侧，该汇流箱包括六路工艺气体管和一路N2管；一真空管路，包括一干泵，一分子泵，一罗茨泵，及一控制阀门；一RF电源，采用了13.56MHz的电源发生器，匹配器安装在腔体下部；及一电气控制部分，包括一温度控制器，一压力控制器，RF电源控制器，该压力控制器包括一压力传感器，调压蝶阀。