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公开/公告号CN104918881B
专利类型发明专利
公开/公告日2017-04-05
原文格式PDF
申请/专利权人 LG化学株式会社;
申请/专利号CN201480004965.6
发明设计人 金成真;孙承用;曹东铉;姜京延;车振名;禹知希;
申请日2014-09-30
分类号C01B32/162(20170101);B01J37/08(20060101);
代理机构11225 北京金信知识产权代理有限公司;
代理人朱梅;钱程
地址 韩国首尔
入库时间 2022-08-23 09:54:20
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-04-05
授权
2015-10-14
实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 31/02 申请日:20140930
实质审查的生效
2015-09-16
公开
机译: 调整碳纳米管聚集体的堆积密度的方法
机译: 用于基材的碳纳米管取向聚集体的生产,制备碳纳米管取向聚集体的方法以及用于基材的碳纳米管取向聚集体的制备方法
机译:Si晶片上阳极氧化铝纳米模板中碳纳米管发射器的堆积密度控制
机译:某些碳纳米管和相关碳纳米颗粒聚集体的细胞毒性评估及其对环境中人为碳纳米管聚集体的影响
机译:具有较低堆积密度的聚集体的性质和应用
机译:扩展有限元方法提取应变能释放速率和计算碳纳米管聚集体的计算纳米力学的进展。
机译:某些碳纳米管及相关碳纳米颗粒聚集体的细胞毒性评估及其对环境中人为碳纳米管聚集体的影响
机译:一些碳纳米管及相关碳纳米粒子聚集体的细胞毒性评价及其对环境中人为碳纳米管聚集体的影响
机译:二维圆形,填充聚集体和DLa分形聚集体上单和双分子扩散控制反应速率的比较