一种在2D碳毡内部原位生长Si₃N₄纳米线的方法

摘要

本发明涉及一种在2D碳毡内部原位生长Si₃N₄纳米线的方法，采用前驱体浸渍‑热解的方法，在碳毡内部原位生长Si₃N₄纳米线，克服了传统CVD方法在大厚度高密度多孔预制体中渗透性差的问题，实现了Si₃N₄纳米线在整体预制体中由内部至表面的均匀生长。本方法中，前驱体的成分比例、浸渍方法和热处理过程对实验结果的影响很大。通过调节实验参数，可以在碳毡内部得到分布均匀的Si₃N₄纳米线，对于提升2D碳毡在多维尺度上的增强效果十分有利。本发明方法，使Si₃N₄纳米线在碳毡内部的分布密度可控，克服了传统CVD方法在碳毡内部生长纳米线渗透性差的缺点。本方法具有成本低、周期短和易实现规模化高效率生产的优点。