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具有围绕栅极的垂直开关的三维存储器及其方法

摘要

三维存储器装置的垂直转换层用于转换一组垂直局部位线到对应的一组全局位线,垂直转换层是垂直薄膜晶体管(TFT)的TFT沟道的二维阵列,对齐排列以连接到局部位线的阵列,每个TFT转换局部位线到对应的全局位线。阵列中的TFT具有分别沿着x和y轴的分开长度Lx和Ly,从而栅极材料层形成在x‑y平面中的每个TFT周围的围绕栅极,并且使栅极材料层具有的厚度合并以形成沿着x轴的行选择线,而在各行选择线之间保持分开长度Ls。围绕栅极改善了TFT的转换能力。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-04-05

    授权

    授权

  • 2016-08-17

    著录事项变更 IPC(主分类):H01L 27/24 变更前: 变更后: 申请日:20130613

    著录事项变更

  • 2016-06-08

    专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 27/24 登记生效日:20160520 变更前: 变更后: 申请日:20130613

    专利申请权、专利权的转移

  • 2015-05-13

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/24 申请日:20130613

    实质审查的生效

  • 2015-04-15

    公开

    公开

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