公开/公告号CN104520995B
专利类型发明专利
公开/公告日2017-04-05
原文格式PDF
申请/专利权人 桑迪士克科技有限责任公司;
申请/专利号CN201380041340.2
申请日2013-06-13
分类号
代理机构北京市柳沈律师事务所;
代理人邱军
地址 美国得克萨斯州
入库时间 2022-08-23 09:54:11
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-04-05
授权
授权
2016-08-17
著录事项变更 IPC(主分类):H01L 27/24 变更前: 变更后: 申请日:20130613
著录事项变更
2016-06-08
专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 27/24 登记生效日:20160520 变更前: 变更后: 申请日:20130613
专利申请权、专利权的转移
2015-05-13
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/24 申请日:20130613
实质审查的生效
2015-04-15
公开
公开
机译: 形成具有自对准栅极和围绕所得结构的栅极延伸的垂直场效应晶体管的方法
机译: 一种形成垂直场效应晶体管的方法,该晶体管具有自对准栅极和围绕所得结构的栅极延伸
机译: 单独地包括可编程电荷存储晶体管的垂直串,包括可编程电荷存储晶体管,包括控制栅极和电荷存储结构以及以单独的单独形成垂直存储器单元的垂直存储器单元的方法,包括可编程电荷存储晶体管,包括控制栅极和电荷存储结构