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集成电路的背面光学失效定位样品制备方法及分析方法

摘要

本发明公开了一种集成电路的背面光学失效定位样品制备方法,包括:步骤1、对样品进行开、短路测试,使用测试仪ATE机台施加一个电流,来判断电压是否在正常的范围,确定开、短路测试电压是在正常的范围后进行下一步分析;步骤2、使用手动研磨机台对失效样品的背面塑封材料进行研磨;步骤3、开封后使用超声波清洗器对器件进行清洗,将残留在芯片背面的残渣去掉,并选用常温恒温,进行8~15分钟超声清洗,得到干净的样品并自然干燥;步骤4、再次使用ATE(自动测试仪)测量样品的电学特性参数,确认样品的特性与制样前完全一致。本发明能大大提高无损开封的成功率及失效分析的速度。本发明还涉及该样品的失效分析方法。

著录项

  • 公开/公告号CN103969569B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-03-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华虹宏力半导体制造有限公司;

    申请/专利号CN201310028028.1

  • 发明设计人 张雨田;张朝锋;

    申请日2013-01-25

  • 分类号

  • 代理机构上海浦一知识产权代理有限公司;

  • 代理人丁纪铁

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

  • 入库时间 2022-08-23 09:54:06

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-03-29

    授权

    授权

  • 2014-09-03

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 31/28 申请日:20130125

    实质审查的生效

  • 2014-08-06

    公开

    公开

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