公开/公告号CN103969569B
专利类型发明专利
公开/公告日2017-03-29
原文格式PDF
申请/专利权人 上海华虹宏力半导体制造有限公司;
申请/专利号CN201310028028.1
申请日2013-01-25
分类号
代理机构上海浦一知识产权代理有限公司;
代理人丁纪铁
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
入库时间 2022-08-23 09:54:06
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-03-29
授权
授权
2014-09-03
实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 31/28 申请日:20130125
实质审查的生效
2014-08-06
公开
公开
机译: 集成电路的失效分析方法及失效的集成电路组件
机译: 需要简单偏置条件的背面失效分析方法
机译: 光学记录介质样品的制造方法,光学记录介质样品的分析方法以及光学记录介质样品的制造装置