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一维光子晶体选择性辐射器

摘要

本发明提供一种一维光子晶体选择性辐射器,包括基体材料和交替沉积在基体材料上的多个周期的铒掺杂二氧化硅薄膜和硅薄膜两种介质材料。其中,基体材料为硅。沉积在基体材料上的第一层薄膜是铒掺杂二氧化硅薄膜。本发明将稀土铒离子的特征辐射与光子晶体的光谱调控特性相结合,获得性能优异的选择性辐射特性,大幅提高TPV及STPV系统的光电转换效率。且还具有结构简单,制备方法成熟等优点。

著录项

  • 公开/公告号CN104076530B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-03-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 绍兴文理学院;

    申请/专利号CN201410285140.8

  • 发明设计人 谭永胜;方泽波;刘士彦;

    申请日2014-06-24

  • 分类号

  • 代理机构杭州裕阳专利事务所(普通合伙);

  • 代理人应圣义

  • 地址 312000 浙江省绍兴市环城西路508号

  • 入库时间 2022-08-23 09:54:01

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-06-07

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G02F 1/01 授权公告日:20170329 终止日期:20180624 申请日:20140624

    专利权的终止

  • 2017-03-29

    授权

    授权

  • 2017-03-29

    授权

    授权

  • 2014-10-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):G02F1/01 申请日:20140624

    实质审查的生效

  • 2014-10-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):G02F 1/01 申请日:20140624

    实质审查的生效

  • 2014-10-01

    公开

    公开

  • 2014-10-01

    公开

    公开

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