一种适用于RIE制绒后晶体硅片的表面微腐蚀清洗方法

摘要

本发明提供了一种适用于RIE制绒后晶体硅片的表面微腐蚀清洗方法。本发明采用BOE蚀刻液与双氧水混合溶液对RIE制绒后晶体硅片进行清洗。其中，双氧水的作用是在RIE制绒后硅片表面生成一层氧化层，BOE蚀刻液中的HF溶液与氧化层反应，实现微腐蚀的效果。BOE蚀刻液能保持溶液的酸度，从而保证溶液腐蚀速率的稳定性。本发明能够对RIE制绒后的硅片表面进行微腐蚀，既能实现去除表面损伤层和表面尖端结构的效果，又能控制RIE制绒后的硅片反射率的上升速度。本发明清洗工艺可在室温下进行，清洗效果重复性好，避免使用控温设备，节约生产成本。