法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-04-05
授权
授权
2015-02-04
实质审查的生效 IPC(主分类):H01Q 1/38 申请日:20140915
实质审查的生效
2015-01-07
公开
公开
机译: 人工磁导体结构单元,人工磁导体结构和对应的极化平面天线
机译: 使用用于该方法的励磁导体结构,确定用于校准磁场传感器的方法,可校准磁场传感器以及用于确定励磁导体与磁场传感器之间距离的励磁导体间隔
机译: 一种用于产生具有氧化作用的沟槽结构的方法,一种用于制造集成半导体电路装置或芯片的方法,一种用于制造半导体元件的方法以及一种利用该方法的半导体集成电路器件,芯片,一种半导体器件的制造方法