公开/公告号CN1251306C
专利类型发明授权
公开/公告日2006-04-12
原文格式PDF
申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;
申请/专利号CN02149043.0
申请日2002-11-20
分类号H01L21/20(20060101);H01L21/3205(20060101);H01L21/31(20060101);C23C16/14(20060101);
代理机构11127 北京三友知识产权代理有限公司;
代理人刘朝华
地址 台湾省新竹科学工业园区
入库时间 2022-08-23 08:58:14
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2006-04-12
授权
授权
2004-08-18
实质审查的生效
实质审查的生效
2004-06-09
公开
公开
机译: 在原子层沉积过程中调整沉积速率的方法
机译: 在原子层沉积过程中调整沉积速率的方法
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