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增加原子层沉积速率的方法

摘要

一种增加原子层沉积速率的方法。首先,提供一基底于一原子层沉积反应室中,通过第一反应气体入口导入第一反应气体,使第一反应气体化学吸附于基底上;然后,导入惰性气体来吹净原子层沉积反应室内部,但仍残留部分第一反应气体于原子层沉积反应室中;接着,通过第二反应气体入口导入第二反应气体,使第二反应气体与吸附于基底上的第一反应气体产生化学反应,并且同时地第二反应气体与残留于原子层沉积反应室内部的第一反应气体产生化学反应,因而形成一化合物层于基底上;之后,导入惰性气体来吹净原子层沉积反应室内部,但仍残留部分第二反应气体于原子层沉积反应室中。

著录项

  • 公开/公告号CN1251306C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2006-04-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;

    申请/专利号CN02149043.0

  • 发明设计人 吴志远;林国楹;蔡嘉雄;

    申请日2002-11-20

  • 分类号H01L21/20(20060101);H01L21/3205(20060101);H01L21/31(20060101);C23C16/14(20060101);

  • 代理机构11127 北京三友知识产权代理有限公司;

  • 代理人刘朝华

  • 地址 台湾省新竹科学工业园区

  • 入库时间 2022-08-23 08:58:14

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2006-04-12

    授权

    授权

  • 2004-08-18

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2004-06-09

    公开

    公开

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