一种用于GaN基HEMT器件的自适应偏置场板

摘要

本发明属于半导体技术领域，具体涉及到一种用于GaN基HEMT器件的自适应偏置场板。本发明的方案采用带偏置电压的金属场板，阻断状态，场板的偏置电压取自于同一衬底材料上的辅助二极管的耗尽的漂移区，二极管的阳极和阴极分别与HEMT的源极和漏极电气相连。反向阻断时，漏端高压，二极管的耗尽区较宽，从耗尽区的不同位置引出不等的电压作为HEMT场板的偏置电压，所以偏置电压的大小可通过调控场板电极在漂移区的位置而改变；HEMT正向导通时，由于漏压较低，二极管的大部分漂移区未耗尽，偏置场板相当于处于浮空状态。采用本发明能大大提高器件的击穿电压，在相同的栅漏距离下，导通电阻基本保持不变。本发明尤其适用于GaN基HEMT器件。