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CMP仿真模型中研磨垫与芯片表面接触压力的计算方法

摘要

本发明实施例公开了一种CMP仿真模型中研磨垫与芯片表面接触压力的计算方法,包括:根据芯片版图设计,将芯片表面划分成图形结构区和场区,所述图形结构区包括多个块状图形结构,所述场区为所述芯片表面各块状图形结构外的区域;根据各块状图形结构的线宽和芯片表面高度差异,对所述图形结构区和场区进行表面封装,形成多个封装块;对所述多个封装块的表面进行网格划分,并利用接触力学方程组,求解芯片表面各封装块的初始接触压力分布;根据各封装块内的线宽和表面高度差异,进一步求解各封装块表面的接触压力分布,该方法不仅能够同时兼顾计算效率和计算精度,而且具有一般性和通用性。

著录项

  • 公开/公告号CN104021247B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-03-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;

    申请/专利号CN201410240641.4

  • 发明设计人 徐勤志;陈岚;

    申请日2014-05-30

  • 分类号

  • 代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人王宝筠

  • 地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

  • 入库时间 2022-08-23 09:52:51

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-03-01

    授权

    授权

  • 2014-10-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 17/50 申请日:20140530

    实质审查的生效

  • 2014-09-03

    公开

    公开

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