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公开/公告号CN103022181B
专利类型发明专利
公开/公告日2017-03-01
原文格式PDF
申请/专利权人 波音公司;
申请/专利号CN201210352495.5
发明设计人 X-Q·刘;D·C·罗;E·M·雷德尔;C·M·费策尔;R·R·金;
申请日2012-09-20
分类号
代理机构北京纪凯知识产权代理有限公司;
代理人赵蓉民
地址 美国伊利诺伊州
入库时间 2022-08-23 09:52:46
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-03-01
授权
2014-10-22
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0352 申请日:20120920
实质审查的生效
2013-04-03
公开
机译: 太阳能电池结构中的多层背面场层
机译:埋入式发射极太阳能电池结构:背面接触太阳能电池的金属化几何形状和载流子收集几何形状的解耦
机译:使用多层 - 石墨烯透明导电电极和背面钝化层的高性能导电聚合物/ Si纳米线混合太阳能电池
机译:聚吡咯背面接触到CdS / CdTe太阳能电池结构的光辅助电沉积
机译:背面和正面配置中CdTe / CdS / TCO太阳能电池结构的模拟SIM深度轮廓
机译:高效硅太阳能电池丝网印刷金属化,铝背面场和介电表面钝化的理解和应用
机译:在光生层中包括硅纳米晶体的硅量子点超晶格太阳能电池结构
机译:具有双背面场层的高效InGaP / GaAs DJ太阳能电池
机译:采用异质结构背面场的新型高效Gaas太阳能电池结构