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用于在未掩蔽区域和预先掩蔽区域处加工晶片的方法

摘要

用于在未掩蔽区域和预先掩蔽区域处加工晶片的方法。用于在第一主表面处加工具有微机电系统结构的晶片的方法包括在第二主表面处施加掩蔽材料并且构造掩蔽材料以在第二主表面处得到多个掩蔽区域和多个未掩蔽区域。所述方法进一步包括在未掩蔽区域处从第二主表面各向异性地蚀刻晶片以形成多个凹进。至少在其中一些掩蔽区域处,所述掩蔽材料然后被去除以得到预先掩蔽区域。所述方法进一步包括在未掩蔽区域和预先掩蔽区域处从第二主表面各向异性地蚀刻晶片以在预先掩蔽区域处增加凹进的深度和减小晶片的厚度。

著录项

  • 公开/公告号CN103426721B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-03-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 英飞凌科技股份有限公司;

    申请/专利号CN201310197256.1

  • 申请日2013-05-24

  • 分类号

  • 代理机构中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人马丽娜

  • 地址 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号

  • 入库时间 2022-08-23 09:52:33

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-03-01

    授权

    授权

  • 2013-12-25

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/00 申请日:20130524

    实质审查的生效

  • 2013-12-04

    公开

    公开

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