首页> 中国专利> 基于高电流范围磁阻的电流传感器

基于高电流范围磁阻的电流传感器

摘要

本发明是基于高电流范围磁阻的电流传感器。一种系统包括磁阻(MR)桥电路、磁场传感器和可调负载。MR桥电路接收供电电压,并且生成指示磁场的强度/方向的输出电压。MR桥电路包括串联连接在供电节点和接地节点之间的第一和第二MR元件,以及串联连接在供电节点和接地节点之间的第三和第四MR元件。所述输出电压在第一和第二MR元件公共的第一节点以及第三和第四MR元件公共的第二节点之间生成。所述传感器基于磁场的强度/方向生成信号。所述可调负载与MR元件之一并联连接,并且具有基于由传感器生成的信号控制的电阻。

著录项

  • 公开/公告号CN103134967B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-03-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 霍尼韦尔国际公司;

    申请/专利号CN201210595876.6

  • 发明设计人 P·A·小霍曼;

    申请日2012-10-24

  • 分类号G01R15/18(20060101);G01R19/25(20060101);

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人曲宝壮;卢江

  • 地址 美国新泽西州

  • 入库时间 2022-08-23 09:52:33

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-03-01

    授权

    授权

  • 2014-11-19

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 15/18 申请日:20121024

    实质审查的生效

  • 2013-06-05

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号