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膜厚度测量设备与膜厚度测量方法

摘要

一种测量薄膜厚度的设备,它使第一能量和第二能量的电子束轰击形成在硅衬底上的待测量薄膜,并测量在第一能量的电子束轰击衬底时,在衬底内流动的电流的第一衬底电流值和在第二能量的电子束轰击衬底时,在衬底内流动的电流的第二衬底电流值。该薄膜测量设备获得表示膜厚度与作为变量的基准函数之间关系的基准数据,该基准函数具有在第一能量的电子束轰击标准采样时的衬底电流和第二能量的电子束轰击标准采样时的衬底电流,该薄膜测量设备还考虑基准数据,根据第一和第二衬底电流值计算在测薄膜的厚度。

著录项

  • 公开/公告号CN1230662C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2005-12-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 法梭半导体;

    申请/专利号CN03101481.X

  • 发明设计人 山田惠三;板垣洋辅;牛木健雄;

    申请日2003-01-17

  • 分类号G01B15/02;

  • 代理机构11227 北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人王学强

  • 地址 日本神奈川

  • 入库时间 2022-08-23 08:58:10

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-04-06

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01B 15/02 授权公告日:20051207 终止日期:20100220 申请日:20030117

    专利权的终止

  • 2011-04-06

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01B 15/02 授权公告日:20051207 终止日期:20100220 申请日:20030117

    专利权的终止

  • 2008-02-20

    专利申请权、专利权的转移(专利权的转移) 变更前: 变更后: 登记生效日:20080118 申请日:20030117

    专利申请权、专利权的转移(专利权的转移)

  • 2008-02-20

    专利申请权、专利权的转移(专利权的转移) 变更前: 变更后: 登记生效日:20080118 申请日:20030117

    专利申请权、专利权的转移(专利权的转移)

  • 2005-12-07

    授权

    授权

  • 2005-12-07

    授权

    授权

  • 2004-01-14

    专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移 变更前: 变更后: 登记生效日:20031104 申请日:20030117

    专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移

  • 2004-01-14

    专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移 变更前: 变更后: 登记生效日:20031104 申请日:20030117

    专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移

  • 2004-01-14

    专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移 变更前: 变更后: 登记生效日:20031104 申请日:20030117

    专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移

  • 2003-10-15

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2003-10-15

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2003-07-30

    公开

    公开

  • 2003-07-30

    公开

    公开

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