用于制造用于光电子半导体芯片的有源区的方法和光电子半导体芯片

摘要

在至少一个实施方式中，方法设计成用于制造用于光电子半导体芯片的有源区并且包括下述步骤：生长基于Al_x4In_y4Ga_1‑x4‑y4N的第四阻挡层(24)，其中0≤x4≤0.40并且平均地0yGa_1‑yN，其中0.08≤y≤0.35；将基于Al_x1In_y1Ga_1‑x1‑y1N的第一阻挡层(21)生长到量子阱层(20)上，其中0≤x1≤0.40并且平均地02气体的条件下生长。