法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-02-01
授权
授权
2015-08-12
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0224 申请日:20150421
实质审查的生效
2015-07-15
公开
公开
机译: 半导体器件的单元,具有由至少四个栅极电极轨道定义的矩形栅极电极布局特征形成的亚波长尺寸的栅极导电结构
机译: 一种通过在裸露的硅藻土的暴露过程中保护栅极下面的涂层来制造具有栅极结构并提高具有大ε的栅极堆叠的完整性的半导体器件的方法
机译: 一种集成电路,包括交叉耦合的晶体管,该晶体管具有由相同的栅极电平结构形成的两个不同类型的晶体管和由单独的栅极电平结构形成的两个不同类型的晶体管