法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-01-25
授权
授权
2015-04-22
实质审查的生效 IPC(主分类):C22C 29/06 申请日:20141120
实质审查的生效
2015-03-25
公开
公开
机译: SiC法通过化学气相沉积和均匀制备的碳化硅复合材料均匀生长SiC纳米线制备高密度碳化硅复合材料
机译: SiC法通过化学气相沉积和均匀制备的碳化硅复合材料均匀生长SiC纳米线制备高密度碳化硅复合材料
机译: SiC MOSFET的表面改性制备厚度均匀的SiC MOSFET的SiC MOSFET的制造方法。