一种无需外部磁场的自旋轨道动量矩磁存储器

摘要

一种无需外部磁场的自旋轨道动量矩磁存储器，该存储器SOT‑MTJ基于垂直磁各向异性，除了包含有传统MTJ结构中的自由层、隧穿势垒层、参考层和反铁磁金属层，还额外添加了一层非铁磁金属层，并且优化了反铁磁金属层的材料，以及改进了隧穿势垒层的形状；该SOT‑MTJ结构从下到上依次为底电极，非铁磁金属层，铁磁金属层一即自由层，楔形隧穿势垒层，铁磁金属层二即参考层，反铁磁金属层及顶电极共七层。本发明无需外部磁场即可进行写入操作，因而较之前的SOT‑MRAM能耗更低，随工艺节点降低的等比微缩性也更优秀。