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一种高二次电子发射系数冷阴极材料及其制备方法

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摘要

本发明属于冷阴极材料制备技术领域的一种高二次电子发射系数冷阴极材料及其制备方法。所述材料包括：按重量百分比计，钡1.5％‑4.5％，铂95.5％‑98.5％；所述材料的微观结构为：铂为基体，Pt

1. 一种高二次电子发射系数冷阴极材料及其制备方法 [P] . 中国专利： CN104342572B . 2017.01.25
2. 一种高二次电子发射系数薄膜及其制备方法 [P] . 中国专利： CN112593206A . 2021-04-02
3. Materials of high secondary electron emission [P] . 英国专利： GB533286A . 1941-02-11

机译：高二次电子发射材料
4. ion generator with ionization chamber built or coated with material of high coefficient of secondary emission [P] . IT1252811B . 1995-06-28

机译：带有电离室的离子发生器，内置或涂覆有高二次发射系数的材料
5. Ion generator with ionization chamber constructed from or coated with material with a high coefficient of secondary emission [P] . 美国专利： US5434469A . 1995-07-18

机译：具有电离室的离子发生器，该电离室由具有高二次发射系数的材料制成或涂有涂层