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锗烷气体制备装置及利用其制备单锗烷气体的方法

摘要

本发明涉及一种锗烷气体制备装置及利用其制备单锗烷气体的方法。本发明尤其涉及一种如下的锗烷气体制备装置及利用其制备单锗烷气体的方法:其在制备单锗烷气体时,利用包含微结构通道的制造装置而在短时间内混合反应物质,并除去所产生的反应热,从而可以将单锗烷气体稳定地大量生产。根据本发明,可轻易控制锗烷气体大量产生时的反应温度以及压力的急剧上升。因此,有利于大规模且高产率地生产单锗烷气体。

著录项

  • 公开/公告号CN104619644B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-12-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 爱思开新材料有限公司;

    申请/专利号CN201380043627.9

  • 发明设计人 李太熙;李源镐;权炳宽;

    申请日2013-08-20

  • 分类号

  • 代理机构北京铭硕知识产权代理有限公司;

  • 代理人孙昌浩

  • 地址 韩国庆尚北道荣州市

  • 入库时间 2022-08-23 09:50:19

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-12-14

    授权

    授权

  • 2016-06-15

    著录事项变更 IPC(主分类):C01G 17/00 变更前: 变更后: 申请日:20130820

    著录事项变更

  • 2015-06-10

    实质审查的生效 IPC(主分类):C01G 17/00 申请日:20130820

    实质审查的生效

  • 2015-05-13

    公开

    公开

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