公开/公告号CN103956322B
专利类型发明专利
公开/公告日2017-01-04
原文格式PDF
申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;
申请/专利号CN201410108600.X
申请日2011-07-28
分类号
代理机构北京中原华和知识产权代理有限责任公司;
代理人寿宁
地址 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
入库时间 2022-08-23 09:50:08
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-01-04
授权
授权
2014-08-27
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/31 申请日:20110728
实质审查的生效
2014-07-30
公开
公开
机译: 形成具有非晶扩散阻挡层的Ta 2 O 5介电层的方法和形成具有b的电容器的方法。助教。具有非晶扩散阻挡层的su2 O.sub.5介电层
机译: 形成具有非晶扩散阻挡层的Ta 2 O 5介电层的方法和形成具有Ta 2 O 5的电容器的方法。 2 O.sub.5介电层和非晶扩散阻挡层
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