纳米真空场效应电子管及其形成方法

摘要

一种纳米真空场效应电子管及其形成方法，所述纳米真空场效应电子管的形成方法包括：提供衬底，衬底表面具有绝缘层和所述绝缘层表面的牺牲层；形成牺牲线和连接牺牲线两端的源漏牺牲层；在绝缘层内形成凹槽，使牺牲线悬空；在牺牲线表面形成介质层；在绝缘层表面形成金属层，金属层填充满所述凹槽并覆盖牺牲线，暴露出连接所述牺牲线两端的源漏牺牲层；去除源漏牺牲层，暴露出牺牲线及介质层的两端侧壁；去除牺牲线，形成通孔；在金属层表面形成隔离层；在金属层两侧的绝缘层表面形成源极和漏极，将所述通孔两端密封。所述方法工艺简单，容易与现有集成电路集成，并且能够提高纳米真空场效应电子管的性能。