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具有基于纳米管或纳米线的平面阴极的真空电子管

摘要

本发明公开了一种具有基于纳米管或纳米线的平面阴极的真空电子管。本发明涉及一种真空电子管,其包括布置在真空室(E)中的至少一个电子发射阴极(C)和至少一个阳极(A),所述阴极具有平面结构,所述平面结构包括基底(Sb)、多个纳米管或纳米线元件以及至少一个第一连接器(CE1),所述基底包括导电材料,所述纳米管或纳米线元件与基底电绝缘,所述纳米管或纳米线元件的纵向轴线实质上平行于基底的平面,所述第一连接器电性联接至至少一个纳米管或纳米线元件,从而能够向纳米线或纳米管元件施加第一电势(V1)。

著录项

  • 公开/公告号CN107591299B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-07-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 泰勒斯公司;

    申请/专利号CN201710545817.0

  • 发明设计人 J-P·马泽利耶;L·萨博;

    申请日2017-07-06

  • 分类号H01J1/304(20060101);H01J35/06(20060101);

  • 代理机构11314 北京戈程知识产权代理有限公司;

  • 代理人程伟;王锦阳

  • 地址 法国库尔布瓦

  • 入库时间 2022-08-23 12:12:47

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