公开/公告号CN104625420B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-11-30
原文格式PDF
申请/专利权人 中自高科(苏州)光电有限公司;
申请/专利号CN201410830123.8
申请日2014-12-29
分类号B23K26/36(20140101);B23K26/064(20140101);
代理机构
代理人
地址 江苏省苏州市工业园区启月街1号31幢101室
入库时间 2022-08-23 09:49:08
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-08-16
专利权的转移 IPC(主分类):B23K 26/36 登记生效日:20190726 变更前: 变更后: 申请日:20141229
专利申请权、专利权的转移
2018-10-16
专利权的转移 IPC(主分类):B23K 26/36 登记生效日:20180920 变更前: 变更后: 申请日:20141229
专利申请权、专利权的转移
2018-10-16
专利权的转移 IPC(主分类):B23K 26/36 登记生效日:20180920 变更前: 变更后: 申请日:20141229
专利申请权、专利权的转移
2016-11-30
授权
授权
2016-11-30
授权
授权
2016-11-30
授权
授权
2015-06-17
实质审查的生效 IPC(主分类):B23K26/36 申请日:20141229
实质审查的生效
2015-06-17
实质审查的生效 IPC(主分类):B23K26/36 申请日:20141229
实质审查的生效
2015-06-17
实质审查的生效 IPC(主分类):B23K 26/36 申请日:20141229
实质审查的生效
2015-05-20
公开
公开
2015-05-20
公开
公开
2015-05-20
公开
公开
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机译: Halfgeleiderinrichting,包括复合的aansluitelektrodelaag,其包含第一金属,其包含钨的第二金属,一种高电导率的金属,其覆盖第一金属。
机译: Halfgeleiderinrichting,包括复合的aansluitelektrodelaag,其包含第一金属,其包含钨的第二金属,一种高电导率的金属,其覆盖第一金属。
机译: 使用金属掩膜制造Zno纳米线的方法以及由其制造的Zno纳米线成员