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一种在纤维基底上直接生长碳纳米管阵列的方法

摘要

本发明提供一种在纤维基底上直接生长碳纳米管的方法,其包括如下步骤:(1)将纤维基底进行预处理;(2)将催化剂前体附着在步骤1所得的基底表面,所述催化剂含Fe、Co、Ni、Cu、Au、Pt、Mo或Ag等过渡金属元素;(3)将步骤(2)所得的基底置于反应炉内,加热所述基底至第一温度并保持预定时间,通入惰性气体,以去除催化剂前体中的有机物;(4)升温至第二温度并保持预定时间,持续通入惰性气体,通入还原气体与碳源气体的混合气,保持反应炉内压强,在所述基底的表面生长出高密度的碳纳米管;(5)反应结束后,停止通入还原气体和碳源气体,继续通入惰性气体直至温度降至室温。

著录项

  • 公开/公告号CN104310372B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-11-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 张映波;

    申请/专利号CN201410521764.5

  • 发明设计人 张映波;杨华;

    申请日2014-09-30

  • 分类号C01B31/02(20060101);B82Y30/00(20110101);

  • 代理机构11417 北京庆峰财智知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人刘元霞;谢蓉

  • 地址 100070 北京市丰台区怡海花园泽六2-1102

  • 入库时间 2022-08-23 09:48:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-11-16

    授权

    授权

  • 2015-02-25

    实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 31/02 申请日:20140930

    实质审查的生效

  • 2015-01-28

    公开

    公开

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