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公开/公告号CN102585173B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-11-02
原文格式PDF
申请/专利权人 三星电子株式会社;
申请/专利号CN201210001157.7
发明设计人 李芳璘;朴正一;郑钟元;
申请日2012-01-04
分类号
代理机构北京市柳沈律师事务所;
代理人金拟粲
地址 韩国京畿道
入库时间 2022-08-23 09:48:35
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-11-02
授权
2013-11-06
实质审查的生效 IPC(主分类):C08G 61/12 申请日:20120104
实质审查的生效
2012-07-18
公开
机译: 具有低带隙的有机半导体化合物,以及包括该化合物的晶体管和电子器件
机译: 低带隙有机半导体化合物,包括它们的晶体管和电子器件
机译: 具有低带隙的有机半导体化合物和包含相同特征的晶体管和电子器件
机译:新型低带隙有机半导体的合成:Azulene-1,3-二乙烯基亚乙烯基低聚物
机译:了解大带隙有机半导体的分子表面掺杂,克服有机场效应晶体管中的接触/进入电阻
机译:用于光伏应用的新型低带隙有机半导体的设计与合成
机译:低带隙材料进行低温应用的晶体管研究
机译:勘误:纳米ZnON;适用于高性能开关晶体管和图像传感器应用的高迁移率和低带隙半导体材料
机译:增强有机半导体介电常数的有效策略 - 含有寡核苷酸(乙二醇)侧链的CPDTTPD基低带隙聚合物
机译:低带隙,单片,多带隙,光电器件。