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用于短波长光的负型光致抗蚀组合物及其形成图像的方法

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摘要

一种负型光致抗蚀剂组合物，由以下成分组成：含有由化学通式(1)所示重复单元的聚合物，由含有化学通式(2)所示官能团的化合物组成的交联剂，和响应光而产酸的光-酸发生剂。化学通式(1)和(2)如下，式中的R

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2011-11-16

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G03F 7/039 授权公告日:20050713 终止日期:20100827 申请日:19980827

专利权的终止
2005-07-13

授权

授权
1999-03-03

公开

公开
1999-01-13

实质审查请求的生效

实质审查请求的生效

1. 用于短波长光的负型光致抗蚀组合物及其形成图像的方法 [P] . 中国专利： CN1210622C . 2005.07.13
2. 用于光致抗蚀的保护涂层组合物和用其形成光致抗蚀图案的方法 [P] . 中国专利： CN1609707A . 2005-04-27
3. RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN AND PHOTORESIST FILM [P] . 世界知识产权组织专利： WO2009142182A1 . 2009-11-26

机译：辐射敏感树脂组合物，形成抗蚀图案和光致抗蚀膜的方法
4. NEGATIVE LIQUID PHOTO RESIST RESIN COMPOSITION [P] . 韩国专利： KR20070104752A . 2007-10-29

机译：负性光致抗蚀树脂组合物
5. ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, RESIST FILM, PATTERN FORMING METHOD, MASK BLANK WITH RESIST FILM, METHOD FOR PRODUCING PHOTOMASK, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE [P] . 美国专利： US2020319551A1 . 2020-10-08

机译：衰减射线敏感或辐射敏感的树脂组合物，抗蚀膜，图案形成方法，带有抗蚀膜的掩膜空白，制造光掩模的方法以及制造电子设备的方法