具有多个场板的宽能带隙晶体管

摘要

本发明公开了一种晶体管，它包含多个位于一基片上的有源半导体层，并且其源极与漏极与这些半导体层接触。在这些源极与漏极之间以及多个半导体层上形成一栅极。在这些半导体层上配置多个场板，每一场板从该栅极的边缘朝该漏极延伸，并且每一场板与这些半导体层、以及与这些场板的其它场板隔离。这些场板的最高场板电连接至该源极，并且这些场板的其它场板电连接至栅极或源极。