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一种铜锌锗硫/铜锌锗硒薄膜太阳能电池吸收层的制备方法

摘要

本发明公开了一种铜锌锗硫/铜锌锗硒薄膜太阳能电池吸收层的制备方法,在钠钙玻璃衬底上,先用射频磁控溅射法制备CuZnGe金属预置层,再进行硫化/硒化处理。本发明中磁控溅射采用单质铜靶,单质锌靶和单质锗靶;硫化反应/硒化反应在真空腔室中进行,将溅射所得的层状金属薄膜前驱体和硫粉/硒粉放置于石墨盒中,进行后硫化/后硒化的处理,得到铜锌锗硫/铜锌锗硒薄膜太阳能电池吸收层。本发明制备的薄膜太阳能电池吸收层具有原料来源丰富,对环境友好,抗辐射抗衰减能力强,稳定性好,制备工艺简单,适用于工业化生产的优点。

著录项

  • 公开/公告号CN104157734B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-09-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华东师范大学;

    申请/专利号CN201410392589.4

  • 发明设计人 黄玲;何俊;杨平雄;褚君浩;

    申请日2014-08-11

  • 分类号

  • 代理机构上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人董红曼

  • 地址 200062 上海市普陀区中山北路3663号

  • 入库时间 2022-08-23 09:47:39

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-09-14

    授权

    授权

  • 2014-12-17

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20140811

    实质审查的生效

  • 2014-11-19

    公开

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