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半导体薄膜反应腔辅助温度校准方法

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本发明公开了一种半导体薄膜反应腔辅助温度校准方法，属于半导体制造领域。该方法首先利用第一探测装置标定出与黑体炉靶心处温度T

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公开/公告号CN104089704B

专利类型发明专利
公开/公告日2016-09-21

原文格式PDF
申请/专利权人北京智朗芯光科技有限公司;
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申请/专利号CN201410325923.4
发明设计人李成敏;严冬;王林梓;刘健鹏;张瑭;马小超;
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申请日2014-07-09
分类号
代理机构北京华沛德权律师事务所;
代理人刘杰
地址 102206 北京市昌平区昌平路97号新元科技园B座503室
入库时间 2022-08-23 09:47:05

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-07-26

专利权的转移 IPC(主分类):G01J 5/00 登记生效日:20190708 变更前: 变更后: 申请日:20140709

专利申请权、专利权的转移
2016-10-05

著录事项变更 IPC(主分类):G01J5/00 变更前: 变更后: 申请日:20140709

著录事项变更
2016-10-05

著录事项变更 IPC(主分类):G01J 5/00 变更前: 变更后: 申请日:20140709

著录事项变更
2016-09-21

授权

授权
2016-09-21

授权

授权
2014-10-29

实质审查的生效 IPC(主分类):G01J5/00 申请日:20140709

实质审查的生效
2014-10-29

实质审查的生效 IPC(主分类):G01J 5/00 申请日:20140709

实质审查的生效
2014-10-08

公开

公开
2014-10-08

公开

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