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半导体薄膜生长反应腔辅助温度校准装置及校准方法

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公开了半导体薄膜生长反应腔辅助温度校准装置及校准方法，属于半导体制造领域。该装置及方法能够将光源的光强调节到P

著录项

公开/公告号CN104726841A

专利类型发明专利
公开/公告日2015-06-24

原文格式PDF
申请/专利权人北京智朗芯光科技有限公司;
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申请/专利号CN201510102391.2
发明设计人桑云刚;黄文勇;马铁中;
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申请日2015-03-09
分类号
代理机构北京华沛德权律师事务所;
代理人刘杰
地址 102206 北京市昌平区昌平路97号新元科技园B座503室
入库时间 2023-12-18 09:33:32

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-09-21

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C23C14/54 申请公布日:20150624 申请日:20150309

发明专利申请公布后的驳回
2016-10-05

著录事项变更 IPC(主分类):C23C14/54 变更前: 变更后: 申请日:20150309

著录事项变更
2015-07-22

实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/54 申请日:20150309

实质审查的生效
2015-06-24

公开

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