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用于探测硅块内部缺陷的红外探测装置及探测方法

摘要

本发明公开了一种用于探测硅块内部缺陷的红外探测装置及探测方法。该红外探测装置包括:红外光源,用于发出红外线;旋转台,用于放置待测硅块;接收器,与显示系统连接,用于接收红外线并将红外信息传输给显示系统;还包括设置在所述红外光源与硅块之间的限光片,限光片由透光区和遮光区组成,透光区和遮光区间隔设置。通过在红外光源与硅块之间设置由透光区和遮光区间隔形成的限光片,将光源分割成数个面积小于缺陷区域的小光源,解决了在缺陷后方光线汇集导致无法准确地显示出硅块内部全部缺陷的问题,达到了准确探测的目的。将该红外探测装置用于硅块内部缺陷的全方位探测,提高了硅块缺陷检测的准确度,保障了后续切片工艺的顺利进行。

著录项

  • 公开/公告号CN103592311B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-09-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 英利集团有限公司;

    申请/专利号CN201310610942.7

  • 发明设计人 潘家明;何广川;陈艳涛;吕耀辉;

    申请日2013-11-26

  • 分类号

  • 代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人吴贵明

  • 地址 071051 河北省保定市朝阳北大街3399号

  • 入库时间 2022-08-23 09:46:52

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-09-07

    授权

    授权

  • 2014-03-19

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 21/88 申请日:20131126

    实质审查的生效

  • 2014-02-19

    公开

    公开

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