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一种熔石英光学基底表面氟化物薄膜快速脱膜方法

摘要

本发明公开了一种熔石英光学基底表面氟化物薄膜的快速脱膜方法,属于光学元件制备方法技术领域,该方法利用复分解反应或络合反应,在室温或加热条件下反应,使熔石英光学基底表面氟化物发生化学反应而被彻底清除,热水浴中反应除膜,最快仅需20‑30分钟,温水浴中除膜需1.5‑2.5小时,室温除膜需3‑7小时。脱膜后与未镀膜光学基底相比表面粗糙度无明显变化,亦无可探测物理或化学损伤。

著录项

  • 公开/公告号CN104445970B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-08-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201410621218.9

  • 发明设计人 李斌成;何治柯;吉邢虎;柳存定;

    申请日2014-11-06

  • 分类号

  • 代理机构北京科迪生专利代理有限责任公司;

  • 代理人杨学明

  • 地址 610209 四川省成都市双流350信箱

  • 入库时间 2022-08-23 09:46:28

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-08-31

    授权

    授权

  • 2015-04-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):C03C 15/00 申请日:20141106

    实质审查的生效

  • 2015-03-25

    公开

    公开

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