一种低温下化合物半导体与硅基半导体进行键合的方法

摘要

本发明涉及一种低温下化合物半导体和硅基半导体进行键合的方法，其包括如下步骤：（1）对硅基半导体进行清洗，之后在其表面镀钯；（2）对化合物半导体进行清洗，之后与步骤（1）中所述镀钯的硅基半导体相对，保持钯层位于两种半导体之间作为中间介质键合层，之后将两种半导体进行热压键合。本发明所述的低温下化合物半导体和硅基半导体进行键合的方法，本发明方法可以在200‑300℃的相对低温下，仅采用钯层作为中间介质键合层实现了将硅基半导体与化合物半导体键合在一起，不仅成本较低，工艺过程简单，而且有效避免中间介质键合层溢流、粘片且难以卸片的问题。